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LET9070CB

更新时间： 2024-11-21 21:12:23

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
页数	文件大小	规格书
14页	713K
描述
70W 28V HF to 2GHz LDMOS TRANSISTOR

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LET9070CB 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	8.36	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

LET9070CB 数据手册

LET9070CB

RF power transistor from the LdmoST family

of N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs

Datasheet

production data

Features

• Excellent thermal stability

• Common source configuration

• P_OUT(@ 28 V)= 70 W with 17 dB gain @ 945

MHz

• BeO free package

• In compliance with the 2002/95/EC European

M243

epoxy sealed

directive

• Bidirectional ESD

Description

The LET9070CB is a common source N-channel

enhancement mode lateral field-effect RF power

transistor designed for broadband commercial

and industrial applications at frequencies up to

1.0 GHz. The LET9070CB is designed for high

gain and broadband performance operating in

common source mode at 28 V. It is ideal for base

station applications requiring high linearity.

Figure 1. Pin out

1. Drain

3. Source

2. Gate

Table 1. Device summary

Order code

Package

Branding

LET9070CB

M243

LET9070CB

July 2013

DocID023782 Rev 2

1/14

This is information on a product in full production.

www.st.com

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