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KTC3879

更新时间： 2024-01-11 01:41:35

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银河微电 - BL Galaxy Electrical		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	222K
描述
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

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KTC3879 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84

KTC3879 数据手册

BL Galaxy Electrical

Production specification

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

KTC3879

FEATURES

Lead-free

High power gain.

APPLICATIONS

High frequency application.

HF,VHF band amplifier appilication.

SOT-23

ORDERING INFORMATION

Type No.

KTC3879

Marking

Package Code

SOT-23

RR/RO/RY

MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Symbol

Parameter

Value

Units

Collector-Base Voltage

V_CBO

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector Current

℃

Emitter Current

I_E

-50

150

-55~150

Collector Power Dissipation

Junction and Storage Temperature

P_C

T_j,T_stg

Document number: BL/SSSTC110

Rev.A

www.galaxycn.com

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