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KTC4072V

更新时间： 2024-11-16 22:47:27

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KEC		晶体开关晶体管局域网
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3页	76K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (SWITCHING)

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KTC4072V 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.76	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	12 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	270	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	320 MHz
Base Number Matches：	1

KTC4072V 数据手册

SEMICONDUCTOR

KTC4072V

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

SWITCHING APPLICATION.

FEATURES

ᴌHigh Current.

ᴌLow V_CE(sat).

: V_CE(sat)ᴪ250mV at I_C=200mA/I_B=10mA.

DIM MILLIMETERS

ᴌComplementary to KTA2012V.

1.2 +0.05

0.8 +0.05

0.5+0.05

0.3+0.05

1.2+0.05

0.8+0.05

0.40

MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)

CHARACTERISTIC

0.12+0.05

0.2+0.05

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

RATING

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

1. EMITTER

2. BASE

3. COLLECTOR

500

Collector Current

I_CP

P_C

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

100

150

-55ᴕ150

ᴱ

VSM

T_j

T_stg

Storage Temperature Range

* Single pulse Pw=1mS.

ᴱ

Marking

Type Name

L Z

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ᴱ)

CHARACTERISTIC

Collector Cut-off Current

SYMBOL

I_CBO

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

V_CB=15V, I_E=0

100

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

h_FE

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

DC Current Gain

I_C=10ỌA

I_C=1mA

I_E=10ỌA

V_CE=2V, I_C=10mA

I_C=200mA, I_B=10mA

V_CE=2V, I_C=10mA, f_T=100MHz

V_CB=10V, I_E=0, f=1MHz

270

680

250

V_CE(sat)

f_T

Collector-Emitter Saturation Voltage

Transition Frequency

320

7.5

MHz

C_ob

Collector Output Capacitance

2002. 2. 20

Revision No : 2

1/3

12 3

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