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KTC3964 PDF预览

KTC3964

更新时间： 2024-11-21 17:15:47
品牌 Logo 应用领域
KEC /
页数 文件大小 规格书
2页 44K
描述
TO-126

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KTC3964 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：SIP
包装说明：TO-126, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.76
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：500
JEDEC-95代码：TO-126JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：220 MHzBase Number Matches：1

KTC3964 数据手册

 浏览型号KTC3964的Datasheet PDF文件第2页 
SEMICONDUCTOR  
KTC3964  
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
HIGH CURRENT APPLICATION.  
A
B
Switching Applications  
D
C
Solenoid Drive Applications  
E
Temperature Compensated for Audio Amplifier Output Stage  
F
FEATURES  
G
· High DC current gain : hFE = 500(min) (IC=400mA)  
· Low Collector emitter saturation voltage : VCE(sat)=0.5V(max)  
(IC=300mA)  
H
DIM MILLIMETERS  
J
A
B
C
D
E
8.3 MAX  
5.8  
K
L
· Suffix U : Qualified to AEC-Q101.  
ex) KTC3964-U/PU  
0.7  
_
+
Φ3.2 0.1  
3.5  
_
+
F
11.0 0.3  
G
H
J
2.9 MAX  
1.0 MAX  
1.9 MAX  
M
MAXIMUM RATING (Ta=25℃)  
O
_
+
0.75 0.15  
K
L
N
P
_
+
15.50 0.5  
1
2
3
CHARACTERISTIC  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
RATING  
UNIT  
V
_
+
2.3 0.1  
M
N
O
P
_
+
0.65 0.15  
1.6  
3.4 MAX  
40  
1. EMITTER  
2. COLLECTOR  
3. BASE  
40  
V
7
2
V
TO-126  
Collector Current  
A
PC  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
1.5  
W
℃
℃
Tj  
150  
Tstg  
Storage Temperature Range  
-55∼ 150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)  
CHARACTERISTIC  
Collector Cut-off Current  
SYMBOL  
ICBO  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
VCB=40V, IE=0  
-
-
-
10  
1
μA  
μA  
V
IEBO  
VEB=7V, IC=0  
Emitter Cut-off Current  
-
40  
500  
-
V(BR)CEO  
hFE  
IC=10mA, IB=0  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
DC Current Gain  
-
-
VCE=1V, IC=400mA  
IC=300mA, IB=1mA  
IC=300mA, IB=1mA  
VCE=2V, IC=100mA  
VCB=10V, IE=0, f=1MHz  
-
-
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Transition Frequency  
0.3  
-
0.5  
1.1  
-
V
V
-
-
220  
20  
MHz  
pF  
Cob  
Collector Output Capacitance  
-
-
OUTPUT  
ton  
tstg  
tf  
Turn On Time  
-
-
-
1.0  
3.0  
1.2  
-
-
-
20μsec  
I
B1  
INPUT  
Switching  
Storage Time  
Time  
I
B1  
μS  
I
B2  
I
B2  
Fall Time  
<
I
=-I =-1mA,  
DUTY CYCLE 1% VCC=30V  
B2  
B1  
=
2018. 04. 10  
Revision No : 2  
1/2  
12

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