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KTC3202-BP PDF预览

KTC3202-BP

更新时间： 2024-10-02 21:20:15
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 383K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN

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KTC3202-BP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.5最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：25JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
Base Number Matches：1

KTC3202-BP 数据手册

 浏览型号KTC3202-BP的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
KTC3202  
Features  
·
·
·
·
General Purpose Application  
Switching Application  
Excellent hFE Linearity: hFE(2)=25(Min.) at VCE=6V, IC=400mA  
Complementary to KTA1270  
Epitaxial Planar  
NPN Transistor  
Pin Configuration  
Bottom View  
TO-92  
C
B
E
A
E
Maximum Ratings  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Rating  
30  
35  
5.0  
500  
500  
625  
-55 to +150  
-55 to +150  
Unit  
V
V
B
V
mA  
mA  
mW  
OC  
OC  
IE  
Base Current  
PC  
TJ  
TSTG  
Collector Power Dissipation  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
C
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
ICBO  
Collector Cutoff Current  
(VCB=35Vdc,IE=0)  
Emitter Cutoff Current  
---  
---  
---  
---  
0.1  
0.1  
uAdc  
uAdc  
D
IEBO  
(VEB=5.0Vdc, I =0)  
C
ON CHARACTERISTICS  
(1)  
hFE-1  
hFE-2  
VCE(sat)  
VBE  
DC Current gain  
70  
25  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
0.1  
400  
---  
---  
---  
(I =100mAdc, VCE=1.0Vdc)  
DC Current gain  
C
(2)  
(I =400mAdc, VCE=6.0Vdc)  
C
G
Collector-Emitter Saturation Voltage  
0.25  
1.0  
---  
Vdc  
Vdc  
MHz  
pF  
(I =100mAdc, IB=10mAdc)  
C
DIMENSIONS  
Base- Emitter Voltage  
0.8  
300  
7.0  
INCHES  
MM  
(VCE=1.0Vdc, I =100mAdc)  
C
DIM  
A
MIN  
.175  
.175  
.500  
.016  
.135  
.095  
MAX  
MIN  
4.45  
4.46  
12.7  
0.41  
3.43  
2.42  
MAX  
4.70  
4.70  
---  
NOTE  
fT  
Transistor Frequency  
.185  
.185  
---  
(VCE=6.0Vdc, IC=20mAdc)  
B
C
Cob  
Collector Output Capacitance  
(VCB=6.0Vdc, IE=0, f=1.0MHz)  
---  
D
.020  
.145  
.105  
0.63  
3.68  
2.67  
E
G
(1) hFE(1) Classification O: 70~140, Y: 120~240, GR: 200~400  
hFE(2) Classification O:25Min., Y: 40Min.  
www.mccsemi.com  
Revision: 2  
2003/04/30  
12

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