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KTC3202Y

更新时间： 2024-11-20 14:51:55

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江苏长电/长晶 - CJ		/
页数	文件大小	规格书
1页	289K
描述
Transistor

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KTC3202Y 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.6	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	120
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

KTC3202Y 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

KTC3202

TRANSISTOR (NPN)

TO-92

FEATURES

1. EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

General Purpose Application Switching Application

MAXIMUM RATINGS (T^a=25℃ unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

500

625

150

-55-150

℃

P_C

T_J

Storage Temperature

T_stg

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-BASE breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

V_(BR)CBOI_C= 0.1mA, I_B=0

V_(BR)CEOI_C= 1mA, I_B=0

V_(BR)EBO

I_CBO

I_E= 0.1mA, I_C=0

V_CB= 35V, I_E=0

0.1

μA

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB= 5V, I_C=0

h_FE(1)

h_FE(2)

V_CE(sat)

V_CE= 1V, I_C= 100mA

V_CE= 6V, I_C= 400mA

I_C=100mA, I_B= 10mA

400

DC current gain

Collector-emitter saturation voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

Transition frequency

0.25

1.0

V_BE

f_T

V_CE=1V, I_C= 100mA

V_CE= 6V, I_C= 20mA

V_CB= 6V, I_E= 0,f=1 MHz

300

7.0

MHz

Collector Output Capacitance

C_ob

CLASSIFICATION OF h_FE

Rank

120-240

70-140

Range h_FE(1)

Range h_FE(2)

A,June,2011

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