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KTA2013F

更新时间： 2024-11-20 11:32:15

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描述
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

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KTA2013F 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	0.15 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz	Base Number Matches：	1

KTA2013F 数据手册

SEMICONDUCTOR

KTA2013F

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

GENERAL PURPOSE APPLICATION.

SWITCHING APPLICATION.

FEATURES

· Excellent h_FELinearity

: h_FE(0.1mA)/h_FE(2mA)=0.95(Typ.).

· High h_FE: h_FE=120~400.

· Complementary to KTC4074F.

· Thin Fine Pitch Small Package.

DIM MILLIMETERS

0.6+0.05

0.8 0.05

0.38+0.02/-0.04

0.2 0.05

1.0 0.05

0.35 0.05

0.1 0.05

0.15+0.05

MAXIMUM RATING (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

RATING

-20

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

1. EMITTER

2. BASE

-20

3. COLLECTOR

-5

-150

-30

℃

TFSM

I_B

Base Current

P_C

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_stg

-55∼ 150

℃

Marking

Type Name

Rank

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

Collector Cut-off Current

SYMBOL

I_CBO

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

-0.1

400

-0.3

UNIT

V_CB=-20V, I_E=0

μA

I_EBO

V_EB=-5V, I_C=0

Emitter Cut-off Current

DC Current Gain

h_FE(Note)

V_CE(sat)

f_T

V_CE=-5V, I_C=-2mA

I_C=-100mA, I_B=-10mA

V_CE=-10V, I_C=-1mA

V_CB=-10V, I_E=0, f=1MHz

120

Collector-Emitter Saturation Voltage

Transition Frequency

-0.1

MHz

C_ob

Collector Output Capacitance

Note : h_FEClassification Y(4):120∼ 240, GR(6):200∼ 400

2005. 4. 21

Revision No : 1

1/3

12 3

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