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KTA1504

更新时间： 2024-02-20 06:14:58
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SECOS 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 58K
描述
-0.15A , -50V PNP Plastic Encapsulated Transistor

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KTA1504 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.63
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.15 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.15 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：80 MHz
Base Number Matches：1

KTA1504 数据手册

  
KTA1504  
-0.15A , -50V  
PNP Plastic Encapsulated Transistor  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free  
FEATURE  
SOT-23  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Low Noise  
Complementary to KTC3875  
Excellent hFE Linearity  
A
L
3
3
Top View  
C B  
1
1
2
2
K
F
E
CLASSIFICATION OF hFE  
Product-Rank  
KTA1504-O  
70~140  
ASO  
KTA1504-Y KTA1504-GR  
D
Range  
H
J
120~240  
ASY  
200~400  
ASG  
G
Marking Code  
Millimeter  
Min. Max.  
Millimeter  
REF.  
REF.  
Min.  
Max.  
0.18  
0.60  
A
B
C
D
E
F
2.80  
2.10  
1.20  
0.89  
1.78  
0.30  
3.04  
2.55  
1.40  
1.15  
2.04  
0.50  
G
H
J
K
L
0.09  
0.45  
0.08  
0.177  
PACKAGE INFORMATION  
0.6 REF.  
0.89  
1.02  
Package  
MPQ  
Leader Size  
7 inch  
SOT-23  
3K  
Collector  
3
1
Base  
2
Emitter  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Collector to Base Voltage  
Symbol  
Ratings  
Unit  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
-50  
-50  
-5  
V
V
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
V
Collector Current - Continuous  
Collector Power Dissipation  
-150  
150  
833  
mA  
mW  
°C / W  
°C  
PC  
Thermal Resistance From Junction To Ambient  
Junction, Storage Temperature  
Rθ  
JA  
TJ, TSTG  
150, -55~150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ. Max.  
Unit  
Test Conditions  
IC= -100µA, IE=0  
Collector to Base Breakdown Voltage  
Collector to Emitter Breakdown Voltage  
Emitter to Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off Current  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-50  
-50  
-5  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
IC= -1mA, IB=0  
-
V
IE= -100µA, IC=0  
VCB= -50V, IE=0  
-0.1  
-0.1  
400  
-0.3  
-
µA  
µA  
Emitter Cut-Off Current  
IEBO  
-
VEB= -5V, IC=0  
DC Current Gain  
hFE  
70  
-
VCE= -6V, IC= -2mA  
IC= -100mA, IB= -10mA  
Collector to Emitter Saturation Voltage  
Transition Frequency  
VCE(sat)  
fT  
V
80  
-
MHz VCE= -10V, IC= -1mA  
pF CB= -10V, I =0, f=1MHz  
Collector Output Capacitance  
Cob  
7
V
E
http://www.SeCoSGmbH.com/  
Any changes of specification will not be informed individually.  
15-Feb-2012 Rev. A  
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