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KTA1504-O-TP

更新时间： 2024-11-01 20:47:55

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美微科 - MCC		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	285K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), PNP,

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KTA1504-O-TP 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.63
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.15 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	70	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
Base Number Matches：	1

KTA1504-O-TP 数据手册

M C C

KTA1504-O

KTA1504-Y

KTA1504-GR

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

Complementary to KTC3875

Low Noise

PNP Silicon

Epitaxial Transistors

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

SOT-23

Maximum Ratings @ T_a= 25?(unless otherwise noted)

Symbol

Parameter

Value

Unit

I_C

Collector Current

-0.15

0.15

P_D

Collector Power Dissipation

R/W

Thermal Resistance From Junction To Ambient

R_Θ

833

T_J

Junction Temperature

150

T_STG

Storage Temperature Range

-55 to +150

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

Symbol

OFF CHARACTERISTICS

Parameter

Min TYPE Max

Units

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I_C=-1mAdc,I_B=0)

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=-100uAdc,I_E=0)

V(BR)CEO

-50

V(BR)CBO

DIMENSIONS

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_E=-100uAdc,I_C=0)

Collector-Base Cutoff Current

(V_CB=-50Vdc, I_E=0)

INCHES

MIN

-5.0

-0.1

V(BR)EBO

I_CBO

DIM

MAX

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

NOTE

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

.120

.104

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

µAdc

uAdc

Emitter-Base Cutoff Current

(V_EB=-5.0Vdc, I_C=0)

ON CHARACTERISTICS

I_EBO

DC Current Gain

400

-0.3

(I_C=-2mAdc, V_CE=-6.0Vdc)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=-100mAdc, I_B=-10mAdc)

Transition Frequency

.085

.37

V_CE(sat)

Vdc

Suggested Solder

Pad Layout

.031

.800

ꢀ_ꢀ

MHZ

(VCE=-10Vdc,IC=-1mAdc)

C_ob

(VCB=-10Vdc,IE=0,f=1MHZ)

.035

.900

.079

2.000

inches

CLASSIFICATION OF hFE

Rank

120-240

ASY

Range

70-140

ASO

200-400

.037

.950

Marking

ASG

.037

.950

www.mccsemi.com

Revision: B

2013/01/01

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KTA1504S	KEC	获取价格	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
KTA1504S-Y	KEXIN	获取价格	Epitaxial Planar PNP Transistor
KTA1504-TP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
KTA1504-Y	WEITRON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor
KTA1504-Y	KEXIN	获取价格	PNP Transistors
KTA1504-Y-TP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), PNP,
KTA1505	KEC	获取价格	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)
KTA1505	WEITRON	获取价格	PNP General Purpose Transistors
KTA1505	BL Galaxy Electrical	获取价格	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor
KTA1505	KEXIN	获取价格	PNP Transistors

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