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KTA1504S-Y

更新时间： 2024-01-26 03:06:13

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科信 - KEXIN		晶体晶体管
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1页	48K
描述
Epitaxial Planar PNP Transistor

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KTA1504S-Y 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.63
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.15 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
Base Number Matches：	1

KTA1504S-Y 数据手册

SMD Type

Transistors

Epitaxial Planar PNP Transistor

KTA1504S-Y

SOT-23

Unit: mm

+0.1

2.9_-0.1

+0.1

0.4_-0.1

■ Features

● Collector Power Dissipation: PC=150mW

● Collector Current: IC=-150mA

+0.1

+0.05

0.95_-0.1

0.1_-0.01

+0.1

1.9_-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Symbol

VCEO

VCBO

VEBO

Rating

-50

Unit

-50

-5

Collector Current

-150

150

℃

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

Tstg

-55 to 150

℃

■ Electrical Characteristics Ta = 25℃

Parameter

Symbol

Test conditions

Min

Typ Max

Unit

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

V(BR)CBO IC=-100μA,IE=0

V(BR)CEO IC=-1mA,IB=0

V(BR)EBO IE=-100μA,IC=0

-50

-5

ICBO

IEBO

hFE

VCB=-50V, IE=0

VEB=-5V, IC=0

-0.1

240

μA

DC Current Gain

VCE=-6V, IC=-2mA

120

Collector-Emitter Saturation Voltage

Transition Frequency

VCE(sat) IC=-100mA, IB=-10mA

-0.1

-0.3

MHz

VCE=-10V, IC=-1mA

Collector Output Capacitance

Noise Figure

Cob

VCB=-10V, IE=0, f=1MHz

4.0

1.0

7.0

VCE=-6V, IC=-0.1mA,f=1kHz, Rg=10KΩ

www.kexin.com.cn

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