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KTA1504

更新时间： 2024-01-09 06:45:09

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银河微电 - BL Galaxy Electrical		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	231K
描述
PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

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KTA1504 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.63
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.15 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
Base Number Matches：	1

KTA1504 数据手册

BL Galaxy Electrical

Production specification

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

KTA1504

FEATURES

Lead-free

Complementary To KTC3875.

Excellent H_FELinearity.

Low noise.

APPLICATIONS

General purpose application, switching application.

SOT-23

ORDERING INFORMATION

Type No.

KTA1504

Marking

Package Code

SOT-23

ASO/ASY/ASG

MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Units

Collector-Base Voltage

-50

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-50

-5

Collector Current -Continuous

Base Current

-150

-30

℃

I_B

Collector Power Dissipation

Junction and Storage Temperature

P_C

150

-55~150

T_j,T_stg

ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Document number: BL/SSSTC054

Rev.A

www.galaxycn.com

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