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KTA1296

更新时间： 2024-02-07 08:13:50

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KEC		晶体开关晶体管功率放大器局域网
页数	文件大小	规格书
2页	76K
描述
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER, POWER SWITCHING)

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技术参数
数据手册

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KTA1296 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

KTA1296 数据手册

SEMICONDUCTOR

KTA1296

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

POWER AMPLIFIER APPLICATION.

POWER SWITCHING APPLICATION.

FEATURES

ᴌLow Saturation Voltage.

: V_CE(sat)=-0.5V(Max.) at I_C=-2A

ᴌComplementary to KTC3266.

DIM MILLIMETERS

4.70 MAX

4.80 MAX

3.70 MAX

0.45

1.00

1.27

0.85

MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)

0.45

14.00 +0.50

CHARACTERISTIC

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

SYMBOL

RATING

-20

UNIT

0.55 MAX

2.30

0.45 MAX

1.00

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

-20

-6

1. EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

-2

I_B

Base Current

-0.5

P_C

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

625

ᴱ

TO-92

T_j

150

T_stg

-55ᴕ150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ᴱ)

CHARACTERISTIC SYMBOL

I_CBO

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

-0.1

400

UNIT

ỌA

V_CB=-20V, I_E=0

Collector Cut-off Current

I_EBO

h_FE(1) (Note)

h_FE(2)

V_CE(sat)

V_BE

V_EB=-6V, I_C=0

Emitter Cut-off Current

120

ỌA

V_CE=-2V, I_C=-0.1A

V_CE=-2V, I_C=-2A

I_C=-2A, I_B=-0.1A

V_CE=-2V, I_C=-0.1A

V_CE=-2V, I_C=-0.5A

V_CB=-10V, I_E=0, f=1MHz

DC Current Gain

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Voltage

-0.5

-0.85

f_T

Transition Frequency

120

MHz

C_ob

Collector Output Capacitance

Note : h_FE(1) Classification Y:120ᴕ240, GR:200ᴕ400

2000. 11. 30

Revision No : 0

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