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KTA1298O

更新时间： 2024-11-01 21:10:55

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江苏长电/长晶 - CJ		/
页数	文件大小	规格书
1页	450K
描述
Transistor

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KTA1298O 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
最大集电极电流 (IC)：	0.8 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	100	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz	Base Number Matches：	1

KTA1298O 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

SOT-23

KTA1298

TRANSISTOR (PNP)

1. BASE

2. EMITTER

3. COLLECTOR

FEATURES

Low frequency power amplifier application

Power switching application

MAXIMUM RATINGS (T^a=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

-35

-30

-5

-0.8

200

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current –Continuous

Collector Dissipation

P_C*

T_J

Junction Temperature

Storage Temperature

150

℃

T_stg

-55-150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

I_C=- 1mA,I_E=0

-35

-30

-5

I_C= -10mA, I_B=0

I_E=-1mA, I_C=0

V_CB=-30 V,I_E=0

-0.1

320

μA

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB= -5V,I_C=0

h_FE(1)

V_CE=-1V, I_C=-100mA

V_CE=-1V, I_C=-800mA

I_C=-500mA, I_B= -20mA

V_CE=-1V, I_C=-10mA

100

DC current gain

h_FE(2)

Collector-emitter saturation voltage

Base- emitter voltage

V_CE(sat)

V_BE

-0.4

-0.8

-0.5

Transition frequency

f_T

V_CE=-5V, I_C=-10mA,

120

MHz

Collector output capacitance

C_ob

V_CB=-10V, I_E=0,f=1MHz

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

Rank

100-200

160-320

Range

MARKING

A,May,2011

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