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KTA1298-Y PDF预览

KTA1298-Y

更新时间： 2024-01-12 20:54:44

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PNP Transistors

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KTA1298-Y 数据手册

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SMD Type

Transistors

PNP Transistors

KTA1298

SOT-23

Unit: mm

+0.1

-0.1

2.9

0.4

+0.1

-0.1

3

■ Features

● Collector Power Dissipation: PC=200mW

● Collector Current: I^C=-800mA

1

2

+0.1

-0.1

+0.05

-0.01

0.95

0.1

+0.1

-0.1

1.9

1.Base

2.Emitter

3.collector

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Symbol

V^CEO

V^CBO

V^EBO

I^C

Rating

-35

Unit

V

-30

V

-5

V

Collector Current

-800

200

mA

mW

℃

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

P^C

T^j

150

Storage Temperature Range

T^stg

-55 to 150

℃

■ Electrical Characteristics Ta = 25℃

Parameter

Symbol

Test conditions

Min

-35

-30

-5

Typ Max

Unit

V

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector Cut-off Current

V^(BR)CBOIC=-1mA,IE=0

V^(BR)CEOIC=-10mA,IB=0

V^(BR)EBOIE=-1mA,IC=0

V

V

I^CBO

I^EBO

VCB=-30V, IE=0

-0.1

-0.1

320

uA

uA

Emitter Cut-off Current

VEB=-5V, IC=0

V^CE=-1V, IC=-100mA

V^CE=-1V, IC=-800mA

100

40

DC Current Gain

h^FE

Collector-Emitter Saturation Voltage

Transition Frequency

V^CE(sat)IC=-500mA, IB=-20mA

-0.4

V

f^T

VCE=-5V, IC=-10mA

120

13

MHz

pF

Collector Output Capacitance

C^ob

VCB=-10V, IE=0, f=1MHz

■ hFE Classification

Type

Range

Marking

KTA1298-O

100-200

KIO

KTA1298-Y

160-320

KIY

1

www.kexin.com.cn

12

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