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KSP2907

更新时间： 2024-11-30 21:12:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 31K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92

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KSP2907 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.74最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：75JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.625 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHz最大关闭时间（toff）：100 ns
最大开启时间（吨）：45 nsBase Number Matches：1

KSP2907 数据手册

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KSP2907  
General Purpose Transistor  
•
•
Collector-Emitter Voltage: V  
= 40V  
CEO  
Collector Dissipation: P (max)=625mW  
C
TO-92  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
-60  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
-40  
V
CEO  
EBO  
-5  
V
I
-600  
625  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
-60  
-40  
-5  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
I = -10µA, I =0  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
* Collector Emitter Breakdown Voltage I = -10mA, I =0  
C B  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
DC Current Gain  
I = -10µA, I =0  
V
E
C
I
V
= -50V, I =0  
-20  
nA  
CBO  
CB  
E
h
I = -0.1mA, V = -10V  
35  
50  
75  
100  
30  
FE  
C
CE  
V
= -10V, I = -1mA  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
V
V
V
= -10V, I = -10mA,  
C
= -10V, *I = -150mA  
300  
C
= -10V, *I = -500mA  
C
V
V
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base Emitter Saturation Voltage  
Output Capacitance  
I = -150mA, I = -15mA  
-0.4  
-1.6  
V
V
CE  
C
B
I = -500mA, I = -50mA  
C
B
(sat)  
I = -150mA, I = -15mA  
-1.3  
-2.6  
V
V
CE  
C
B
I = -500mA, I = -50mA  
C
B
C
V
= -10V, I =0  
8
pF  
MHz  
ns  
ob  
CB  
E
f=1MHz  
f
t
t
* Current Gain Bandwidth Product  
Turn On Time  
I = -50mA, V = -20V  
200  
T
C
CE  
f=100MHz  
V
= -30V, I = -150mA  
45  
ON  
CC  
C
I
= -15mA  
B1  
Turn Off Time  
V
= -6V, I = -150mA  
100  
ns  
OFF  
CC  
C
I
=I = -15mA  
B1 B2  
* Pulse Test: Pulse Width≤300µs, Duty Cycle≤2%  
* Also available as a PN2907  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
1234

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