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KSP2907ATA

更新时间： 2024-11-07 03:48:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 156K
描述
PNP General Purpose Amplifier

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KSP2907ATA 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：3.02
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.625 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
最大关闭时间（toff）：100 ns最大开启时间（吨）：45 ns
Base Number Matches：1

KSP2907ATA 数据手册

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September 2006  
KSP2907A  
tm  
PNP General Purpose Amplifier  
Features  
•
•
•
•
•
Collector-Emitter Voltage: VCEO= 60V  
Collector Power Dissipation: PC (max)=625mW  
Suffix “-C” means a Center Collector (1.Emitter 2.Collector 3.Base)  
Non suffix “-C” means a Side Collector (1.Emitter 2.Base 3.Collector)  
Available as PN2907A  
TO-92  
1
2 3  
KSP2907A : 1. Emitter 2. Base  
3. Collector  
KSP2907AC : 1. Emitter 2. Collector 3. Base  
Absolute Maximum Ratings *  
T = 25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
-60  
Units  
V
VCBO  
Collector-Base Voltage  
VCEO  
VEBO  
IC  
TJ  
Tstg  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector current  
-60  
V
-5  
V
-600  
mA  
°C  
°C  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
+150  
-55 ~ +150  
* 1. These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
2. These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Max  
625  
Units  
mW  
PC  
Collector Power Dissipation, by RθJA  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case(note1)  
Thermal Resistance, Junction to Ambient(note2)  
83.3  
200  
°C/W  
°C/W  
Note1. Infinite heat sink.  
Note2. Minimum Land pad size.  
Electrical Characteristics *  
T = 25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Parameter  
Test Condition  
IC = -10µA, IE = 0  
Min. Typ. Max. Units  
Collector-Base Breakdown Voltage  
-60  
-60  
-5.0  
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage IC = -10mA, IB = 0  
V
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
DC Current Gain  
IE = -10µA, IC = 0  
VCB = -50V, IE = 0  
V
-10  
nA  
hFE  
VCE = -10V, IC = -0.1mA,  
VCE = -10V, IC = -1mA,  
VCE = -10V, IC = -10mA,  
VCE = -10V, IC = -150mA,  
VCE = -10V, IC = -500mA,  
IC = -150mA, IB = -15mA  
IC = -500mA, IB = -50mA  
IC = -150mA, IB = -15mA  
IC = -500mA, IB = -50mA  
VCB = -10V, IE = 0, f = 1.0MHz  
IC = -50mA, VCE = -20V,  
f = 100MHz  
75  
100  
100  
100  
50  
300  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
-0.4  
-1.6  
-1.3  
-2.6  
8
V
V
V
V
Cobo  
fT  
Output Capacitance  
pF  
MHz  
Current Gain Bandwidth Product  
200  
tON  
tOFF  
Turn On Time  
Turn Off Time  
VCC= -30V, IC = -150mA, IB1= -15mA  
VCC= -6V, IC = -150mA,IB1= IB1 = -15mA  
45  
ns  
ns  
100  
* DC Item are tested by Pulse Test: Pulse Width≤300us, Duty Cycle≤2%  
©2006 Fairchild Semiconductor Corporation  
KSP2907A Rev. E  
1
www.fairchildsemi.com  
12345

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KSP2907ATA 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MPS2907ARLRM ONSEMI

类似代替

 General Purpose Transistors(PNP Silicon)

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSP2907ATA_NL FAIRCHILD

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