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KSP26J05Z

更新时间： 2024-11-30 19:55:11

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	56K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, 3 PIN

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KSP26J05Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.8	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	10000
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

KSP26J05Z 数据手册

NPN EPITAXIAL

KSP25/26/27

SILICON DARLINGTON TRANSISTOR

DARLINGTON TRANSISTOR

· Collector-Emitter Voltage: V_CES=KSP25: 40V

KSP26: 50V

TO-92

KSP27: 60V

· Collector Dissipation: P_C(max) =625mW

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_A=25°C)

Characteristic

Symbol

V_CES

Rating

Unit

Collector-Base Voltage

: KSP25

: KSP26

: KSP27

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Collector Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

V_EBO

I_C

P_C

T_J

T_STG

500

625

150

-55~150

°C

1. Emitter 2. Base 3. Collector

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A=25°C)

Characteristic

Symbol

Test Conditions

Min

Max

Unit

I_C=100mA, I_E=0

Collector-Base Breakdown Voltage

BV_CES

: KSP25

: KSP26

: KSP27

I_C=100mA, I_E=0

Collector-Base Breakdown Voltage

BV_CBO

: KSP25

: KSP26

: KSP27

I_CBO

Collector Cut-off Current

V_CE=30V, I_E=0

V_CE=40V, I_E=0

V_CE=50V, I_E=0

V_CE=10V, I_B=0

V_CE=5V, I_C=10mA

V_CE=5V, I_C=100mA

I_C=100mA, I_B=0.1mA

V_CE=5V, I_C=100mA

100

: KSP25

: KSP26

: KSP27

I_CBO

h _FE

Emitter Cut-off Current

*DC Current Gain

10K

*Collector-Emitter Saturation Voltage

*Base-Emitter On Voltage

1.5

V_CE(sat)

* Pulse Test: PW£300ms, Duty Cycle£2%

Rev. B

1999 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3

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