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KSP26TA

更新时间： 2024-11-29 22:47:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 34K
描述
Darlington Transistor

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KSP26TA 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.8最大集电极电流 (IC)：0.5 A
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：10000
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.625 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

KSP26TA 数据手册

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KSP25/26/27  
Darlington Transistor  
•
Collector-Emitter Voltage: V  
=KSP25: 40V  
KSP26: 50V  
KSP27: 60V  
CES  
•
Collector Power Dissipation: P (max) =625mW  
C
TO-92  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
1
NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
Collector-Emitter Voltage  
CES  
: KSP25  
: KSP26  
: KSP27  
40  
50  
60  
V
V
V
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
10  
500  
V
mA  
mW  
°C  
EBO  
I
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
625  
C
T
T
150  
J
-55~150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
I =100µA, I =0  
CES  
C
E
: KSP25  
: KSP26  
: KSP27  
40  
50  
60  
V
V
V
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
I =100µA, I =0  
C E  
CBO  
: KSP25  
: KSP26  
: KSP27  
40  
50  
60  
V
V
V
I
I
Collector Cut-off Current  
: KSP25  
CBO  
V
V
V
=30V, I =0  
100  
100  
100  
nA  
nA  
nA  
CE  
CE  
CE  
E
: KSP26  
: KSP27  
=40V, I =0  
E
=50V, I =0  
E
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
V
=10V, I =0  
100  
nA  
EBO  
EB  
B
h
V
V
=5V, I =10mA  
10K  
10K  
FE  
CE  
CE  
C
=5V, I =100mA  
C
V
V
(sat)  
(on)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter On Voltage  
I =100mA, I =0.1mA  
1.5  
2
V
V
CE  
C
B
V
=5V, I =100mA  
C
BE  
CE  
* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, September 2002  
1234

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