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KSC2682O PDF预览

KSC2682O

更新时间： 2024-09-16 19:53:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 47K
描述
Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin

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KSC2682O 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.78外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：180 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JEDEC-95代码：TO-126JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：8 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
Base Number Matches：1

KSC2682O 数据手册

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KSC2682  
Audio Frequency Power Amplifier  
•
Complement to KSA1142  
TO-126  
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
180  
Units  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
V
180  
V
5
V
I
100  
mA  
W
W
°C  
°C  
C
P
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
1.2  
C
C
a
Collector Dissipation (T =25°C)  
8
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
-55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
1.0  
Units  
µA  
I
I
V
V
= 180V, I = 0  
CBO  
EBO  
CB  
E
= 3V, I = 0  
1.0  
µA  
EB  
C
h
h
V
V
= 5V, I = 1mA  
90  
100  
190  
200  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
= 5V, I = 10mA  
320  
0.5  
1.5  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I
I
= 50mA, I = 5mA  
0.12  
0.8  
V
V
CE  
C
C
B
= 50mA, I = 5mA  
BE  
B
f
V
V
= 10V, I = 20mA  
200  
3.2  
MHz  
pF  
T
CE  
C
C
= 10V, I = 0  
5.0  
ob  
CB  
E
f = 1MHz  
NF  
Noise Figure  
V
= 10V, I = 1mA  
4
dB  
CE  
C
R = 10KΩ, f = 1kHz  
S
* Pulse Test: PW≤350µs, Duty Cycle≤2%  
h
Classificntion  
FE  
Classification  
O
Y
h
100 ~ 200  
160 ~ 320  
FE2  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
12345

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