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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.75 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 300 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 160 | JEDEC-95代码： | TO-126 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 10 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 80 MHz |
| VCEsat-Max： | 1.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSC2688O | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plast |
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| KSC2688-O | SAMSUNG |
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Power Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plast |
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| KSC2688OS | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plast |
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| KSC2688OSTU | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plast |
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| KSC2688R | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plast |
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| KSC2688-R | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plast |
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| KSC2688Y | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plast |
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| KSC2688YS | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plast |
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| KSC2688YS | ROCHESTER |
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0.2A, 300V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
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| KSC2688YSTSSTU | FAIRCHILD |
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暂无描述 |
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