5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > KSC2223L99Z
KSC2223L99Z PDF预览

KSC2223L99Z

更新时间： 2024-09-15 15:36:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 49K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN

阅读下载

中文翻译

获取价格

KSC2223L99Z 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.69
最大集电极电流 (IC)：0.02 A集电极-发射极最大电压：20 V
配置：SINGLE最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：600 MHz
Base Number Matches：1

KSC2223L99Z 数据手册

 浏览型号KSC2223L99Z的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KSC2223L99Z的Datasheet PDF文件第3页浏览型号KSC2223L99Z的Datasheet PDF文件第4页浏览型号KSC2223L99Z的Datasheet PDF文件第5页 
KSC2223  
High Frequency Amplifier  
•
•
•
•
Very small size to assure good space factor in Hybrid IC applications  
f =600MHz (TYP.) at I =1mA  
T
C
C
=1pF (TYP.) at V =6V  
OB  
CB  
NF=3dB (TYP.) at f=100MHz  
2
SOT-23  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
30  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
20  
V
CEO  
EBO  
4
V
I
20  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Collector Cut-off Current  
DC Current Gain  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
0.1  
Units  
I
V
V
30V, I =0  
µA  
CBO  
CB=  
E
h
=6V, I =1mA  
40  
90  
0.1  
1
180  
0.3  
FE  
CE  
C
V
(sat)  
Collector Emitter Saturation Voltage  
Output Capacitance  
I =10mA, I =1mA  
V
pF  
CE  
C
B
C
V
=6V, I =0, f=1MHz  
E
ob  
CB  
CE  
CB  
f
Current Gain Bandwidth Product  
Time Constant  
V
V
=6V, I =1mA  
400  
600  
12  
MHz  
ps  
T
C
C
=6V, I =1mA  
C
c·rbb  
f=31.9MHz  
NF  
Noise Figure  
V
=6V, I =1mA  
3
dB  
CE  
C
f=100MHz, R =50Ω  
S
h
Classification  
FE1  
Classification  
R
O
Y
h
40 ~ 80  
60 ~ 120  
90 ~ 180  
FE  
Marking  
H5O  
h
grade  
FE  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, April 2001  
12345

中文翻译

下载PDF

与KSC2223L99Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSC2223-O SAMSUNG

获取价格

 		暂无描述
KSC2223OD87Z FAIRCHILD

获取价格

 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic
KSC2223OL99Z FAIRCHILD

获取价格

 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic
KSC2223OMTF FAIRCHILD

获取价格

 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic
KSC2223OMTF ROCHESTER

获取价格

 		VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
KSC2223OS62Z FAIRCHILD

获取价格

 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic
KSC2223R FAIRCHILD

获取价格

 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic
KSC2223-R SAMSUNG

获取价格

 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic
KSC2223RL99Z FAIRCHILD

获取价格

 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic
KSC2223RS62Z FAIRCHILD

获取价格

 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic

与KSC2223L99Z相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证