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KSC2223YL99Z

更新时间： 2024-09-16 04:23:47

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	49K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN

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KSC2223YL99Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.82
最大集电极电流 (IC)：	0.02 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	600 MHz

KSC2223YL99Z 数据手册

KSC2223

High Frequency Amplifier

•

Very small size to assure good space factor in Hybrid IC applications

f =600MHz (TYP.) at I =1mA

=1pF (TYP.) at V =6V

NF=3dB (TYP.) at f=100MHz

SOT-23

1. Base 2. Emitter 3. Collector

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Absolute Maximum Ratings ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Value

Units

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

CBO

CEO

EBO

°C

Collector Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

150

-55 ~ 150

°C

STG

Electrical Characteristics ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Collector Cut-off Current

DC Current Gain

Test Condition

Min.

Typ.

Max.

0.1

Units

30V, I =0

µA

CBO

CB=

=6V, I =1mA

0.1

180

0.3

(sat)

Collector Emitter Saturation Voltage

Output Capacitance

I =10mA, I =1mA

=6V, I =0, f=1MHz

Current Gain Bandwidth Product

Time Constant

=6V, I =1mA

400

600

MHz

=6V, I =1mA

c·rbb

f=31.9MHz

Noise Figure

=6V, I =1mA

f=100MHz, R =50Ω

Classification

FE1

Classification

40 ~ 80

60 ~ 120

90 ~ 180

Marking

H5O

grade

Rev. A1, April 2001

12 3 4 5

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