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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.69 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.02 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 20 V | 配置： | SINGLE |
| 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 600 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSC2223OS62Z | FAIRCHILD |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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| KSC2223R | FAIRCHILD |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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| KSC2223-R | SAMSUNG |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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| KSC2223RL99Z | FAIRCHILD |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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| KSC2223RS62Z | FAIRCHILD |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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| KSC2223Y | FAIRCHILD |
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暂无描述 |
|
| KSC2223-Y | SAMSUNG |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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| KSC2223YD87Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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| KSC2223YL99Z | FAIRCHILD |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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| KSC2223YMTF | ROCHESTER |
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VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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