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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> KSC1730Y
KSC1730Y PDF预览

KSC1730Y

更新时间： 2024-09-16 13:09:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 振荡器电视
页数 文件大小 规格书
4页 43K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-92

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KSC1730Y 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.76
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.05 A
基于收集器的最大容量：1.5 pF集电极-发射极最大电压：15 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.25 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：1100 MHzBase Number Matches：1

KSC1730Y 数据手册

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KSC1730  
TV VHF, UHF Tuner Oscillator  
•
•
High Current Gain Bandwidth Product : f =1100MHz  
T
Output Capacitance : C =1.5pF (MAX.)  
OB  
TO-92  
1. Emitter 2. Collector 3. Base  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
30  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
15  
V
CEO  
EBO  
5
V
I
50  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
250  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
30  
15  
5
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I =10µA, I =0  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I =5mA, I =0  
C B  
I =10µA, I =0  
V
E
C
I
V
=12V, I =0  
0.1  
240  
0.5  
µA  
CBO  
CB  
CE  
E
h
DC Current Gain  
V
=10V, I =5mA  
40  
FE  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I =10mA, I =1mA  
V
MHz  
pF  
CE  
C
B
f
V
=10V, I =5mA  
800  
1100  
10  
T
CE  
CB  
CE  
C
C
C
V
V
=10V, I =0, f=1MHz  
1.5  
20  
ob  
c·rbb’  
E
Collector-Base Time Constant  
=10V, I =5mA  
ps  
E
f=31.9MHz  
h
Classification  
FE  
Classification  
R
O
Y
h
40 ~ 80  
70 ~ 140  
120 ~ 240  
FE  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B1, September 2002  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSC1730-Y KEXIN

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 		NPN Transistors
KSC1730YBU ROCHESTER

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 		UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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