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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> KSC1815GRBU_NL
KSC1815GRBU_NL PDF预览

KSC1815GRBU_NL

更新时间： 2024-09-16 13:09:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 振荡器晶体音频放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 46K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, LEAD FREE PACKAGE-3

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KSC1815GRBU_NL 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.7
最大集电极电流 (IC)：0.15 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：200
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：80 MHzBase Number Matches：1

KSC1815GRBU_NL 数据手册

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KSC1815  
Audio Frequency Amplifier & High  
Frequency OSC  
•
•
Complement to KSA1015  
Collector-Base Voltage : V  
= 50V  
CBO  
TO-92  
1. Emitter 2. Collector 3. Base  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
60  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
50  
V
CEO  
EBO  
5
V
I
I
150  
mA  
mA  
mW  
°C  
C
Base Current  
50  
B
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
400  
C
T
T
125  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
0.1  
Units  
I
I
V
V
=60V, I =0  
µA  
µA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
E
=5V, I =0  
0.1  
C
h
h
V
V
=6V, I =2mA  
70  
25  
700  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
=6V, I =150mA  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I =100mA, I =10mA  
0.1  
0.25  
1.0  
V
V
CE  
C
B
I =100mA, I =10mA  
BE  
C
B
f
V
=10V, I =1mA  
80  
MHz  
pF  
T
CE  
CB  
CE  
C
C
V
=10V, I =0, f=1MHz  
2.0  
1.0  
3.0  
1.0  
ob  
E
NF  
Noise Figure  
V
=6V, I =0.1mA  
dB  
C
R =10kΩ, f=1Hz  
S
h
Classification  
FE  
Classification  
O
Y
GR  
L
h
70 ~ 140  
120 ~ 240  
200 ~ 400  
350 ~ 700  
FE1  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, September 2002  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSC1815GRTA FAIRCHILD

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