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KSA1298D87Z PDF预览

KSA1298D87Z

更新时间： 2024-02-15 06:55:26
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 33K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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KSA1298D87Z 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.74
最大集电极电流 (IC)：0.8 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：120 MHzBase Number Matches：1

KSA1298D87Z 数据手册

 浏览型号KSA1298D87Z的Datasheet PDF文件第2页 
KSA1298  
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR  
LOW FREQUENCY POWER  
· Complement to KSC3265  
STO-23  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
VCBO  
-30  
-25  
-5  
-800  
-160  
200  
V
V
V
mA  
mA  
mW  
°C  
°C  
VCEO  
VEBO  
IC  
IB  
PC  
Base Current  
Collector Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
TJ  
TSTG  
150  
-55 ~ 150  
· Refer to KSA643 for graphs.  
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
IC= -10mA, IB=0  
IE= -1mA, IC=0  
VCB= -30V, IE=0  
VBE= -5V, IC=0  
VCE= -1V, IC= -100mA  
VCE= -1V, IC= -800mA  
IC= -500mA, IB= -20mA  
VCE= -1V, IC= -10mA  
VCE= -5V, IC= -10mA  
VCB= -10V, IE= 0  
f=1MHz  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
IEBO  
hFE1  
-25  
-5  
V
V
nA  
nA  
-100  
-100  
320  
DC Current Gain  
100  
40  
hFE2  
Collector Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
Current Gain-Bandwidth Product  
Output Capacitance  
VCE (sat)  
VBE (on)  
fT  
-0.4  
-0.8  
V
V
MHz  
pF  
-0.5  
120  
13  
COB  
hFE(1) CLASSIFICATION  
Classification  
O
Y
hFE(1)  
100-200  
160-320  
Rev. B  
ã
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
12

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