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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> KSA1304
KSA1304 PDF预览

KSA1304

更新时间： 2024-01-30 12:47:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器晶体管功率双极晶体管功率放大器输出应用局域网
页数 文件大小 规格书
4页 60K
描述
Vertical Output Applications Power Amplifier Applications

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KSA1304 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220F
包装说明：TO-220F, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.46
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：1.5 A
集电极-发射极最大电压：150 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：NOT APPLICABLE
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：PNP认证状态：COMMERCIAL
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：4 MHz
Base Number Matches：1

KSA1304 数据手册

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KSA1304  
Vertical Output Applications  
Power Amplifier Applications  
•
Complement to KSC3296  
TO-220F  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Ratings  
- 150  
- 150  
- 5  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
V
I
I
- 1.5  
A
C
Base Current  
- 0.5  
A
B
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
20  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
- 10  
Units  
I
I
V
V
V
= - 120V, I = 0  
µA  
µA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
CE  
E
= - 5V, I = 0  
- 10  
C
h
DC Current Gain  
= - 10V, I = - 500mA  
40  
75  
140  
FE  
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter ON Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I = - 500mA, I = - 50mA  
- 1.5  
- 0.85  
V
V
CE  
BE  
C
B
V
= - 10V, I = - 500mA  
- 0.65  
- 0.75  
4
CE  
CE  
CB  
C
f
V
V
= - 10V, I = - 500mA  
MHz  
pF  
T
C
C
= - 10V, f = 1MHz  
55  
ob  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
1234

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