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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> KSA1370FBU
KSA1370FBU PDF预览

KSA1370FBU

更新时间： 2024-01-01 20:31:09
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 显示器
页数 文件大小 规格书
5页 47K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, LEAD FREE, TO-92L, 3 PIN

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KSA1370FBU 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92L包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.79最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：200 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：1 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

KSA1370FBU 数据手册

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KSA1370  
Crt Display, Video Output  
•
•
High Voltage  
Low Reverse Transfer Capacitance : C = 1.7pF  
re  
TO-92L  
1. Emitter 2. Collector 3. Base  
1
PNP Epitaxial Silicon Trnsistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Ratings  
-200  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
V
V
CBO  
-200  
CEO  
EBO  
-5  
V
I
I
-100  
mA  
mA  
W
C
-200  
CP  
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
1.0  
C
T
T
150  
°C  
°C  
J
-55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
-200  
-200  
-5  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I = -10µA, I =0  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I = -1mA, I =0  
C B  
I = -10µA, I =0  
V
E
C
I
I
V
= -150V, I =0  
-0.1  
-0.1  
320  
-0.6  
-1.0  
µA  
µA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
CE  
E
Emitter Cut-off Current  
V
V
= -4V, I =0  
C
h
DC Current Gain  
= -10V, I = -10mA  
100  
FE  
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I = -20mA, I = -2mA  
V
V
CE  
C
B
I = -20mA, I = -2mA  
BE  
C
B
f
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
V
= -30V, I = -10mA  
150  
2.6  
1.7  
MHz  
pF  
pF  
T
CE  
CB  
CB  
C
C
C
V
V
= -30V, f=1MHz  
= -30V, f=1MHz  
ob  
re  
Reverse Transfer Capacitance  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. C, December 2002  
12345

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