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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-92L | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.79 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 200 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSA1370D | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92L |
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| KSA1370-D | SAMSUNG |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, |
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| KSA1370E | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92L |
|
| KSA1370-E | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, |
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| KSA1370ETA | FAIRCHILD |
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暂无描述 |
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| KSA1370F | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92L |
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| KSA1370FBU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, LEAD F |
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| KSA1378 | FAIRCHILD |
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Low Frequency Power Amplifier |
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| KSA1378 | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92S, |
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| KSA1378-G | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92S, |
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