5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> KSA1281YBU
KSA1281YBU PDF预览

KSA1281YBU

更新时间： 2024-01-10 04:05:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器小信号双极晶体管功率放大器
页数 文件大小 规格书
3页 168K
描述
Audio Power Amplifier

阅读下载

中文翻译

获取价格

KSA1281YBU 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：1.15
JESD-609代码：e3峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
端子面层：Tin (Sn)处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

KSA1281YBU 数据手册

 浏览型号KSA1281YBU的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KSA1281YBU的Datasheet PDF文件第3页 
January 2009  
KSA1281  
Audio Power Amplifier  
•
•
Collector Power Dissipation : PC=1W  
3 Watt Output Application  
TO-92L  
1. Emitter 2. Collector 3. Base  
1
Absolute Maximum Ratings* T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VCBO  
Collector-Base Voltage  
-50  
V
V
VCEO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-50  
-5  
V
Collector Current (DC)  
Collector Dissipation (TC=25°C)  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
-2  
1
A
PC  
W
°C  
°C  
TJ  
150  
TSTG  
-55 ~ 150  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150°C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Electrical Characteristics*  
T = 25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min.  
-50  
-50  
-5  
Typ.  
Max. Units  
BVCBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
IC= -100, IE=0  
V
V
V
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
IC= -10mA, IB=0  
IE= -1mA, IC=0  
VCB= -50V, IE=0  
VEB= -5V, IC=0  
-100  
-100  
240  
nA  
nA  
IEBO  
Emitter Cut-off Current  
hFE1  
hFE2  
DC Current Gain  
VCE= -2V, IC= -500mA  
VCE= -2V, IC= -1.5A  
70  
40  
VBE (sat)  
VCE (sat)  
Cob  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Output Capacitance  
IC= -1A, IB= -0.05A  
-1.2  
-0.5  
V
V
IC= -1A, IB= -0.05A  
VCB= -10V, IE=0, f=1MHz  
VCE= -2V, IC= -500mA  
40  
pF  
fT  
Current Gain Bandwidth Product  
100  
MHz  
* Pulse Test: Pulse Width £ 300ms, Duty Cycle £ 2.0%  
h
Classification  
FE  
Classification  
O
Y
hFE  
70 ~ 140  
120 ~ 240  
© 2007 Fairchild Semiconductor Corporation  
KSA1281 Rev. 1.0.0  
www.fairchildsemi.com  
1
123

中文翻译

下载PDF

KSA1281YBU 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
KSA1241YTU FAIRCHILD

类似代替

 Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-251, I

与KSA1281YBU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSA1281YTA ONSEMI

获取价格

 		PNP外延硅晶体管
KSA1298 SAMSUNG

获取价格

 		PNP (LOW FREQUENCY AMPLIFIER)
KSA1298 FAIRCHILD

获取价格

 		Low Frequency Power Amplifier
KSA1298D87Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
KSA1298L99Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
KSA1298O FAIRCHILD

获取价格

 		Low Frequency Power Amplifier
KSA1298OD87Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
KSA1298OL99Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
KSA1298OMTF ROCHESTER

获取价格

 		800mA, 25V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, SOT-23, 3 PIN
KSA1298TF SAMSUNG

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23,

与KSA1281YBU相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证