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KRX105E

更新时间： 2024-02-28 18:11:12
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KEC 晶体开关晶体管驱动局域网
页数 文件大小 规格书
3页 83K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT)

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KRX105E 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
针数：5Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.84Is Samacsys：N
其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：COMPLEX
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PDSO-G5
元件数量：2端子数量：5
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN AND PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzBase Number Matches：1

KRX105E 数据手册

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KRX105E  
EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTOR  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL DATA  
SWITCHING APPLICATION.  
INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION.  
B
B1  
FEATURES  
ᴌIncluding two devices in TESV.  
(Thin Extreme Super mini type with 5 pin.)  
ᴌWith Built-in bias resistors.  
1
2
3
5
4
DIM MILLIMETERS  
_
A
A1  
B
1.6+0.05  
_
1.0+0.05  
_
1.6+0.05  
ᴌSimplify circuit design.  
_
+
B1  
C
1.2 0.05  
ᴌReduce a quantity of parts and manufacturing process.  
0.50  
_
D
H
J
0.2+0.05  
_
+
0.5 0.05  
_
+
0.12 0.05  
P
P
EQUIVALENT CIRCUIT  
P
5
Q
Q
B
C
E
C
1
2
1. Q COMMON (EMITTER)  
1
R1  
R1  
2. Q IN (BASE)  
B
1
R1=4.7KΩ  
3. Q COMMON (EMITTER)  
2
4. Q OUT (COLLECTOR)  
(Q , Q COMMON)  
2
1
2
5. Q OUT (COLLECTOR)  
1
Q
IN (BASE)  
2
E
TESV  
EQUIVALENT CIRCUIT (TOP VIEW)  
Marking  
Type Name  
4
5
4
5
Q2  
Q1  
BE  
1
2
3
1
2
3
Q1 MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)  
CHARACTERISTIC  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
RATING  
UNIT  
V
50  
50  
5
V
V
Collector Current  
100  
Ὠ
Q2 MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)  
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
RATING  
-50  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-50  
V
-5  
V
Collector Current  
-100  
Ὠ
Q1, Q2 MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)  
CHARACTERISTIC  
Power Dissipation  
SYMBOL  
PC *  
RATING  
200  
UNIT  
Ὥ
Tj  
Junction Temperature  
150  
ᴱ
Tstg  
Storage Temperature Range  
* Total Raing.  
-55ᴕ150  
ᴱ
2002. 1. 24  
Revision No : 1  
1/3  
123

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