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KRX205E

更新时间： 2024-01-14 11:03:30

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KEC		晶体开关晶体管光电二极管驱动局域网
页数	文件大小	规格书
3页	84K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT)

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KRX205E 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.84	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN AND PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz

KRX205E 数据手册

KRX205E

EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTOR

SEMICONDUCTOR

TECHNICAL DATA

SWITCHING APPLICATION.

INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION.

FEATURES

ᴌIncluding two devices in TES6.

(Thin Extreme Super mini type with 6 pin.)

ᴌWith Built-in bias resistors.

DIM MILLIMETERS

1.6+0.05

1.0+0.05

1.6+0.05

1.2+0.05

ᴌSimplify circuit design.

0.50

ᴌReduce a quantity of parts and manufacturing process.

0.2+0.05

0.5+0.05

0.12+0.05

EQUIVALENT CIRCUIT

OUT

1. Q COMMON (EMITTER)

2. Q IN (BASE)

, Q

3. Q OUT (COLLECTOR)

R1=4.7KΩ

4. Q COMMON (EMITTER)

5. Q IN (BASE)

6. Q OUT (COLLECTOR)

COMMON

TES6

EQUIVALENT CIRCUIT (TOP VIEW)

Marking

Type Name

Q1 MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)

CHARACTERISTIC

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

RATING

UNIT

Collectoor-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

100

Ὠ

Q2 MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)

CHARACTERISTIC

Collectoor-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

RATING

-50

UNIT

-50

-5

Collector Current

-100

Ὠ

Q1, Q2 MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)

CHARACTERISTIC

SYMBOL

P_C*

RATING

200

UNIT

Ὥ

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

T_j

150

ᴱ

T_stg

Storage Temperature Range

* Total Raing.

-55ᴕ150

ᴱ

2002. 1. 24

Revision No : 1

1/3

12 3

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