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KRX202E PDF预览

KRX202E

更新时间： 2024-09-25 22:32:07
品牌 Logo 应用领域
KEC 晶体开关晶体管光电二极管驱动局域网
页数 文件大小 规格书
3页 87K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT)

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KRX202E 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.77Is Samacsys：N
其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：70JESD-30 代码：R-PDSO-F6
元件数量：2端子数量：6
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN AND PNP
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
Base Number Matches：1

KRX202E 数据手册

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KRX202E  
EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTOR  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL DATA  
SWITCHING APPLICATION.  
B
INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION.  
B1  
FEATURES  
ᴌIncluding two devices in TES6.  
(Thin Extreme Super mini type with 6 pin.)  
ᴌWith Built-in bias resistors.  
1
2
3
6
5
DIM MILLIMETERS  
_
A
A1  
B
1.6+0.05  
_
1.0+0.05  
_
1.6+0.05  
_
B1  
C
D
H
J
1.2+0.05  
ᴌSimplify circuit design.  
0.50  
4
ᴌReduce a quantity of parts and manufacturing process.  
_
0.2+0.05  
_
0.5+0.05  
_
0.12+0.05  
P
P
P
5
EQUIVALENT CIRCUIT  
Q
Q
2
1
OUT  
OUT  
R1  
R1  
1. Q COMMON (EMITTER)  
1
Q
, Q  
2
1
2. Q IN (BASE)  
IN  
IN  
1
3. Q OUT (COLLECTOR)  
2
R1=22KΩ  
R2=22KΩ  
4. Q COMMON (EMITTER)  
2
5. Q IN (BASE)  
2
R2  
COMMON  
R2  
COMMON  
6. Q OUT (COLLECTOR)  
1
TES6  
EQUIVALENT CIRCUIT (TOP VIEW)  
Marking  
Type Name  
6
5
4
6
5
4
Q1  
Q2  
BB  
1
2
3
1
2
3
Q1 MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)  
CHARACTERISTIC  
Output Voltage  
SYMBOL  
RATING  
50  
UNIT  
V
VO  
VI  
IO  
Input Voltage  
40, -10  
100  
V
Output Current  
Ὠ
Q2 MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)  
CHARACTERISTIC  
Output Voltage  
SYMBOL  
RATING  
-50  
UNIT  
V
VO  
VI  
IO  
Input Voltage  
-40, 10  
-100  
V
Output Current  
Ὠ
Q1, Q2 MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)  
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
PD *  
RATING  
200  
UNIT  
Ὥ
Power Dissipation  
Tj  
Junction Temperature  
150  
ᴱ
Tstg  
Storage Temperature Range  
* Total Raing.  
-55ᴕ150  
ᴱ
2002. 1. 24  
Revision No : 1  
1/3  
123

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