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KRX206E

更新时间： 2024-05-23 22:23:25

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3页	190K
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TES6

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KRX206E 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.78	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	80
JESD-30 代码：	R-PDSO-F6	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN AND PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

KRX206E 数据手册

KRX206E

SEMICONDUCTOR

TECHNICAL DATA

EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTOR

SWITCHING APPLICATION.

INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION.

FEATURES

· Including two devices in TES6.

(Thin Extreme Super mini type with 6 Pin.)

· With Built-in bias resistors.

DIM MILLIMETERS

1.6+0.05

1.0+0.05

1.6+0.05

· Simplify circuit design.

1.2+0.05

0.50

0.2+0.05

· Reduce a quantity of parts and manufacturing process.

· Suffix U : Qualified to AEC-Q101.

ex) KRX206E-RTK/HU

0.35+0.05

0.5+0.05

0.12+0.05

EQUIVALENT CIRCUIT

OUT

1. Q COMMON (EMITTER)

2. Q IN (BASE)

3. Q OUT (COLLECTOR)

4. Q COMMON (EMITTER)

5. Q IN (BASE)

6. Q OUT (COLLECTOR)

, Q

R1=10KΩ

R2=47KΩ

COMMON

TES6

EQUIVALENT CIRCUIT (TOP VIEW)

Marking

Lot No.

Type Name

Q1 MAXIMUM RATING (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

Output Voltage

SYMBOL

RATING

UNIT

V_O

V_I

I_O

Input Voltage

30, -6

100

Output Current

㎃

Q2 MAXIMUM RATING (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

Output Voltage

SYMBOL

RATING

-50

UNIT

V_O

V_I

I_O

Input Voltage

-30, 6

-100

Output Current

㎃

Q1, Q2 MAXIMUM RATING (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

Power Dissipation

SYMBOL

P_D*

RATING

200

UNIT

㎽

T_j

Junction Temperature

-55~150

℃

T_stg

Storage Temperature Range

* Total Rating.

℃

2021. 04. 07

Revision No : 5

1/3

12 3

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