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KRX209U

更新时间： 2024-11-21 17:15:27

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3页	503K
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US6

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KRX209U 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.77	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	80
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN AND PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

KRX209U 数据手册

KRX209U

EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTOR

SEMICONDUCTOR

TECHNICAL DATA

SWITCHING APPLICATION.

INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION.

FEATURES

· Including two devices in US6.

(Ultra Super mini type with 6 leads.)

· With Built-in bias resistors.

· Simplify circuit design.

DIM MILLIMETERS

2.00+0.20

1.3+0.1

2.1+0.1

1.25+0.1

0.65

0.2+0.10/-0.05

0-0.1

· Reduce a quantity of parts and manufacturing process.

0.9+0.1

0.15+0.1/-0.05

EQUIVALENT CIRCUIT

OUT

1. Q COMMON (EMITTER)

2. Q IN (BASE)

R1=47KΩ

R2=47KΩ

3. Q OUT (COLLECTOR)

4. Q COMMON (EMITTER)

5. Q IN (BASE)

6. Q OUT (COLLECTOR)

COMMON

R1=10KΩ

R2=47KΩ

US6

EQUIVALENT CIRCUIT (TOP VIEW)

Marking

Lot No.

Type Name

Q1 MAXIMUM RATING (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

Output Voltage

SYMBOL

RATING

UNIT

V_O

V_I

I_O

40, -10

100

Input Voltage

Output Current

㎃

Q2 MAXIMUM RATING (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

Output Voltage

SYMBOL

RATING

-50

UNIT

V_O

V_I

I_O

Input Voltage

-30, 6

-100

Output Current

㎃

Q1, Q2 MAXIMUM RATING (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

SYMBOL

P_D*

RATING

200

UNIT

㎽

Power Dissipation

T_j

Junction Temperature

-55~150

℃

T_stg

Storage Temperature Range

* Total Rating.

℃

-55~150

1/3

2021. 04. 07

Revision No : 3

12 3

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