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KM718FV4011AH-33

更新时间: 2024-11-14 19:31:39
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 296K
描述
Standard SRAM, 256KX18, 1.8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119

KM718FV4011AH-33 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:BGA, BGA119,7X17,50
针数:119Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.88最长访问时间:1.8 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PBGA-B119
JESD-609代码:e0长度:22 mm
内存密度:4718592 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:18功能数量:1
端子数量:119字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256KX18输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:BGA
封装等效代码:BGA119,7X17,50封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:1.5,3.3 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.06 A
最小待机电流:3.15 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.65 mA最大供电电压 (Vsup):3.45 V
最小供电电压 (Vsup):3.15 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:BALL端子节距:1.27 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:14 mmBase Number Matches:1

KM718FV4011AH-33 数据手册

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KM736FV4011A  
KM718FV4011A  
128Kx36 & 256Kx18 SRAM  
Document Title  
128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM  
Revision History  
Draft Date  
Remark  
Rev.No.  
History  
Mar. 1999  
Nov. 1999  
Preliminary  
Final  
0.0  
1.0  
- Preliminary specification release  
- Final specification release  
The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the  
right to change the specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters  
of this device. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or cortact Headquarters.  
Rev 1.0  
Nov. 1999  
- 1 -  

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