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| 生命周期： | Active | 包装说明： | BGA, |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.8 | 最长访问时间： | 2.5 ns |
| 其他特性： | PIPELINED ARCHITECTURE, SEATED HT-CALCULATED | JESD-30 代码： | R-PBGA-B119 |
| 长度： | 22 mm | 内存密度： | 4718592 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 18 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 119 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 256KX18 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | BGA |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 座面最大高度： | 2.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.45 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3.15 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 宽度： | 14 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KM718FV4011H-6 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX18, 3ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 |
|
| KM718FV4011H-600 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX18, 3ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 |
|
| KM718FV4011H7 | SAMSUNG |
获取价格 |
SRAM |
|
| KM718FV4021 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM |
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| KM718FV4021H-5 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM |
|
| KM718FV4021H-6 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM |
|
| KM718FV4021H-7 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM |
|
| KM718FV4022H-7 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX18, 7ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 |
|
| KM718FV4022H-75 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX18, 7.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 |
|
| KM718N | FRONTIER |
获取价格 |
10mm Adjustable Unshielded IFT Coils |
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