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KM718FV4011AH-40 PDF预览

KM718FV4011AH-40

更新时间: 2024-11-14 19:31:39
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 296K
描述
Standard SRAM, 256KX18, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119

KM718FV4011AH-40 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:BGA
包装说明:BGA,针数:119
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.8
最长访问时间:2 nsJESD-30 代码:R-PBGA-B119
长度:22 mm内存密度:4718592 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:18
功能数量:1端子数量:119
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX18
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:BGA
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
最大供电电压 (Vsup):3.45 V最小供电电压 (Vsup):3.15 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:BALL端子节距:1.27 mm
端子位置:BOTTOM宽度:14 mm
Base Number Matches:1

KM718FV4011AH-40 数据手册

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KM736FV4011A  
KM718FV4011A  
128Kx36 & 256Kx18 SRAM  
Document Title  
128Kx36 & 256Kx18 Synchronous Pipelined SRAM  
Revision History  
Draft Date  
Remark  
Rev.No.  
History  
Mar. 1999  
Nov. 1999  
Preliminary  
Final  
0.0  
1.0  
- Preliminary specification release  
- Final specification release  
The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the  
right to change the specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters  
of this device. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or cortact Headquarters.  
Rev 1.0  
Nov. 1999  
- 1 -  

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