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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | LCC |
| 包装说明： | QCCJ, | 针数： | 52 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 8 ns | JESD-30 代码： | S-PQCC-J52 |
| 长度： | 19.05 mm | 内存密度： | 1179648 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 18 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 52 |
| 字数： | 65536 words | 字数代码： | 64000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 组织： | 64KX18 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QCCJ |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 并行/串行： | PARALLEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 4.52 mm | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | BICMOS |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD | 宽度： | 19.05 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KM718BV91J-9 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX18, 9ns, BICMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 |
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| KM718FS4011AH-36 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX18, 1.9ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 |
|
| KM718FS4011AH-4 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX18, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 |
|
| KM718FS4011AH-40 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX18, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 |
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| KM718FV4002H-9 | SAMSUNG |
获取价格 |
Late-Write SRAM, 256KX18, 8ns, CMOS, PBGA119 |
|
| KM718FV4011AH-33 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX18, 1.8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 |
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| KM718FV4011AH-36 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX18, 1.9ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 |
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| KM718FV4011AH-4 | SAMSUNG |
获取价格 |
Late-Write SRAM, 256KX18, 2ns, CMOS, PBGA119 |
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| KM718FV4011AH-40 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX18, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 |
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| KM718FV4011H-5 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX18, 2.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 |
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