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KM718BV1002T-8

更新时间: 2024-11-14 20:01:11
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 信息通信管理静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 41K
描述
Standard SRAM, 64KX18, 8ns, BICMOS, PDSO50, TSOP-50

KM718BV1002T-8 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP
包装说明:SOP,针数:50
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:8 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G50
内存密度:1179648 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:18功能数量:1
端子数量:50字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:SYNCHRONOUS
组织:64KX18封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:BICMOS
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

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