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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DIP, DIP28,.6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.69 |
| 最长访问时间： | 100 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T28 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 65536 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 8192 words | 字数代码： | 8000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 8KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP28,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.00005 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.07 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KM6264ALP-10L | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, PDIP28 |
|
| KM6264ALP-12 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 120ns, CMOS, PDIP28 |
|
| KM6264AP-10 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, PDIP28 |
|
| KM6264AP-7 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, PDIP28 |
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| KM6264B | SAMSUNG |
获取价格 |
8Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
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| KM6264BL-10 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
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| KM6264BL-10L | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
|
| KM6264BL-7 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
|
| KM6264BL-7L | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
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| KM6264BLG-10 | SAMSUNG |
获取价格 |
8Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
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