生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.44 |
最长访问时间: | 100 ns | JESD-30 代码: | R-PDIP-T28 |
长度: | 37.1 mm | 内存密度: | 65536 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 8192 words | 字数代码: | 8000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 组织: | 8KX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.08 mm | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KM6264BL-LP-7L-L | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, DIP-28 | |
KM6264BLP-10 | SAMSUNG |
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8Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM | |
KM6264BLP-10L | SAMSUNG |
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8Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM | |
KM6264BLP-12 | SAMSUNG |
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8Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM | |
KM6264BLP-12L | SAMSUNG |
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8Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM | |
KM6264BLP-7 | SAMSUNG |
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8Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM | |
KM6264BLP-7L | SAMSUNG |
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8Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM | |
KM6264BLP-L-10 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, PDIP28 | |
KM6264BLP-L-7 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, PDIP28 | |
KM6264BLS-10 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, DIP-28 |