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KM6264BLP-10L

更新时间： 2024-11-04 22:27:47

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
10页	155K
描述
8Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM

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KM6264BLP-10L 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP28,.6
针数：	28	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.42	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	100 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDIP-T28	长度：	36.32 mm
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	28
字数：	8192 words	字数代码：	8000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	8KX8
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP28,.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.08 mm	最大待机电流：	0.000005 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.055 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

KM6264BLP-10L 数据手册

KM6264B Family

CMOS SRAM

8Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM

FEATURE SUMMARY

GENERAL DESCRIPTION

· Process Technology : CMOS

· Organization : 8K x 8

The KM6264B family is fabricated by SAMSUNG's

advanced CMOS process technology. The family

can support various operating temperature ranges

and has various package types for user flexibility of

system design. The family also support low data

retention voltage for battery back-up operations with

low data retention current.

· Power Supply Voltage : Single 5V ± 10%

· Low Data Retention Voltage : 2V(Min)

· Three state output and TTL Compatible

· Package Type : JEDEC Standard

28-DIP, 28-SOP

PRODUCT FAMILY

Power Dissipation

PKG Type

Product

Family

Operating

Speed

Temperature

Standby(Isb1, Max) Operating(Icc2)

100uA

KM6264BL

Commercial

(0~70 °C)

70/100/120ns 28-DIP, 28-SOP

10uA

100uA

50uA

KM6264BL-L

KM6264BLE

KM6264BLE-L

KM6264BLI

KM6264BLI-L

Extended

55mA

100*ns

28-SOP

(-25~-85 °C)

Industrial

100uA

50uA

(-40~85 °C)

* measured with 30pF test load

PIN DESCRIPTION

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

Y-Decoder

N.C

A12

Vcc

/WE

CS2

Cell Array

A0~A12

A11

/OE

A10

/CS1

I/O8

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

28-Pin DIP

28-Pin SOP

/CS1, CS2

/WE, /OE

I/O Buffer

I/O1~8

I/O1

I/O2

I/O3

Vss

Pin Name

Function

Address Inputs

A0~A12

/WE

Write Enable Input

Chip Select Input

Output Enable Input

Data Input/Output

Power(5V)

/CS1, CS2

/OE

I/O1~I/O8

Vcc

Vss

Ground

N.C

No Connection

Revision. 0.0

Auust. 1996

ELECTRONICS

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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KM6264BLP-7	SAMSUNG	获取价格	8Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
KM6264BLP-7L	SAMSUNG	获取价格	8Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
KM6264BLP-L-10	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, PDIP28
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KM6264BLS-10	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, DIP-28
KM6264BLS-12	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 120ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, DIP-28
KM6264BLS-7	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, DIP-28
KM6264BLSP-10	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, PDIP28

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