是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP | 包装说明: | TSOP1, TSSOP28,.53,22 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.84 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 100 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G28 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 11.8 mm | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 32KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP1 | 封装等效代码: | TSSOP28,.53,22 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大待机电流: | 0.000008 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.035 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.55 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 8 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KM62U256CLTG-8L | SAMSUNG |
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32Kx8 bit Low Power AND Low Vcc CMOS Static RAM | |
KM62U256CLTG-8L0 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28 | |
KM62U256CLTGE-8L | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28 | |
KM62U256CLTGI-8L | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28 | |
KM62U256D | SAMSUNG |
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32Kx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM | |
KM62U256DLE-L | SAMSUNG |
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32Kx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM | |
KM62U256DLG-10L | SAMSUNG |
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32Kx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM | |
KM62U256DLG-10L0 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, 0.450 INCH, PLASTIC, SOP-28 | |
KM62U256DLG-7L | SAMSUNG |
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32Kx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM | |
KM62U256DLG-8L | SAMSUNG |
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32Kx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM |