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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | SOP, SOP28,.5 |
| 针数： | 28 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.67 | 最长访问时间： | 100 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-G28 |
| 长度： | 18.29 mm | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 8192 words |
| 字数代码： | 8000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 8KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装等效代码： | SOP28,.5 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 3 mm |
| 最大待机电流： | 0.000005 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.055 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 8.38 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KM6264BLG-12 | SAMSUNG |
获取价格 |
8Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
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| KM6264BLG-12L | SAMSUNG |
获取价格 |
8Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
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| KM6264BLG-7 | SAMSUNG |
获取价格 |
8Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
|
| KM6264BLG-7L | SAMSUNG |
获取价格 |
8Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
|
| KM6264BLGE-10 | SAMSUNG |
获取价格 |
8Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
|
| KM6264BLGE-10L | SAMSUNG |
获取价格 |
8Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
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| KM6264BLGI-10 | SAMSUNG |
获取价格 |
8Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
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| KM6264BLGI-10L | SAMSUNG |
获取价格 |
8Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
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| KM6264BLG-L-7 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, PDSO28 |
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| KM6264BL-LG-10L-L | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, SOP |
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