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KM6264BLG-7

更新时间： 2024-09-13 22:27:47
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 155K
描述
8Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM

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KM6264BLG-7 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP, SOP28,.5针数：28
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.81
Is Samacsys：N最长访问时间：70 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G28
JESD-609代码：e0长度：18.29 mm
内存密度：65536 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8功能数量：1
端口数量：1端子数量：28
字数：8192 words字数代码：8000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：8KX8
输出特性：3-STATE可输出：YES
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP28,.5封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：3 mm
最大待机电流：0.00005 A最小待机电流：2 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.045 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：8.38 mm
Base Number Matches：1

KM6264BLG-7 数据手册

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KM6264B Family  
CMOS SRAM  
8Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM  
FEATURE SUMMARY  
GENERAL DESCRIPTION  
· Process Technology : CMOS  
· Organization : 8K x 8  
The KM6264B family is fabricated by SAMSUNG's  
advanced CMOS process technology. The family  
can support various operating temperature ranges  
and has various package types for user flexibility of  
system design. The family also support low data  
retention voltage for battery back-up operations with  
low data retention current.  
· Power Supply Voltage : Single 5V ± 10%  
· Low Data Retention Voltage : 2V(Min)  
· Three state output and TTL Compatible  
· Package Type : JEDEC Standard  
28-DIP, 28-SOP  
PRODUCT FAMILY  
Power Dissipation  
PKG Type  
Product  
Family  
Operating  
Speed  
Temperature  
Standby(Isb1, Max) Operating(Icc2)  
100uA  
KM6264BL  
Commercial  
(0~70 °C)  
70/100/120ns 28-DIP, 28-SOP  
10uA  
100uA  
50uA  
KM6264BL-L  
KM6264BLE  
KM6264BLE-L  
KM6264BLI  
KM6264BLI-L  
Extended  
55mA  
100*ns  
100*ns  
28-SOP  
28-SOP  
(-25~-85 °C)  
Industrial  
100uA  
50uA  
(-40~85 °C)  
* measured with 30pF test load  
PIN DESCRIPTION  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
Y-Decoder  
N.C  
A12  
A7  
1
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
Vcc  
/WE  
CS2  
A8  
2
3
A6  
4
Cell Array  
A5  
5
A9  
A0~A12  
A4  
6
A11  
/OE  
A10  
/CS1  
I/O8  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
A3  
7
28-Pin DIP  
28-Pin SOP  
/CS1, CS2  
/WE, /OE  
A2  
8
A1  
9
I/O Buffer  
I/O1~8  
A0  
10  
11  
12  
13  
14  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
Vss  
Pin Name  
Function  
Address Inputs  
A0~A12  
/WE  
Write Enable Input  
Chip Select Input  
Output Enable Input  
Data Input/Output  
Power(5V)  
/CS1, CS2  
/OE  
I/O1~I/O8  
Vcc  
Vss  
Ground  
N.C  
No Connection  
1
Revision. 0.0  
Auust. 1996  
ELECTRONICS  
1234567...10

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与KM6264BLG-7相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KM6264BLG-7L SAMSUNG

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 		8Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
KM6264BLGE-10 SAMSUNG

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 		8Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
KM6264BLGE-10L SAMSUNG

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 		8Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
KM6264BLGI-10 SAMSUNG

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 		8Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
KM6264BLGI-10L SAMSUNG

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 		8Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
KM6264BLG-L-7 SAMSUNG

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 		Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, PDSO28
KM6264BL-LG-10L-L SAMSUNG

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 		Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, SOP
KM6264BL-LG-12L-L SAMSUNG

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 		Standard SRAM, 8KX8, 120ns, CMOS, SOP
KM6264BL-LP-10L-L SAMSUNG

获取价格

 		Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, DIP-28
KM6264BL-LP-7L-L SAMSUNG

获取价格

 		Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, DIP-28

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