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KM6264BL-LG-12L-L

更新时间: 2024-09-16 09:56:27
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 50K
描述
Standard SRAM, 8KX8, 120ns, CMOS, SOP

KM6264BL-LG-12L-L 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP,Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.82最长访问时间:120 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1字数:8192 words
字数代码:8000工作模式:ASYNCHRONOUS
组织:8KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

KM6264BL-LG-12L-L 数据手册

  

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