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KM418V256ALLTR-8

更新时间: 2024-11-14 20:48:35
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 59K
描述
Fast Page DRAM, 256KX18, 80ns, CMOS, PDSO40, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-44/40

KM418V256ALLTR-8 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2-R, TSOP40/44,.46,32针数:44
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.92
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:80 ns
其他特性:RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN; SELF REFRESHI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G40JESD-609代码:e0
长度:18.41 mm内存密度:4718592 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:18
功能数量:1端口数量:1
端子数量:40字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256KX18输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2-R
封装等效代码:TSOP40/44,.46,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:512反向引出线:YES
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
最大待机电流:0.0001 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.085 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

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