是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP2 |
包装说明: | TSOP2-R, TSOP40/44,.46,32 | 针数: | 44 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.02 | 风险等级: | 5.92 |
访问模式: | FAST PAGE | 最长访问时间: | 80 ns |
其他特性: | RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN; SELF REFRESH | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G40 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 18.41 mm | 内存密度: | 4718592 bit |
内存集成电路类型: | FAST PAGE DRAM | 内存宽度: | 18 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 40 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 256KX18 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP2-R |
封装等效代码: | TSOP40/44,.46,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 512 | 反向引出线: | YES |
座面最大高度: | 1.2 mm | 自我刷新: | YES |
最大待机电流: | 0.0001 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.085 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 10.16 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KM418V256ALLZ-7 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM, 256KX18, 70ns, CMOS, PZIP40, PLASTIC, ZIP-40 | |
KM418V256ALT-8 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM, 256KX18, 80ns, CMOS, PDSO40, PLASTIC, TSOP2-44/40 | |
KM418V256ALTR-7 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM, 256KX18, 70ns, CMOS, PDSO40, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-44/40 | |
KM418V256ALTR-8 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM, 256KX18, 80ns, CMOS, PDSO40, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-44/40 | |
KM418V256ALZ-7 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM, 256KX18, 70ns, CMOS, PZIP40, PLASTIC, ZIP-40 | |
KM418V256ALZ-8 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM, 256KX18, 80ns, CMOS, PZIP40, PLASTIC, ZIP-40 | |
KM418V256AT-8 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM, 256KX18, 80ns, CMOS, PDSO40, PLASTIC, TSOP2-44/40 | |
KM418V256AZ-7 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM, 256KX18, 70ns, CMOS, PZIP40, PLASTIC, ZIP-40 | |
KM418V256AZ-8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 256KX18, 80ns, CMOS, PZIP40, PLASTIC, ZIP-40 | |
KM41C1000BJ-8 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, SOJ-26/20 |