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KM418V256AZ-8

更新时间： 2024-11-14 19:22:39

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
1页	61K
描述
Fast Page DRAM, 256KX18, 80ns, CMOS, PZIP40, PLASTIC, ZIP-40

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KM418V256AZ-8 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	ZIP
包装说明：	ZIP, ZIP40,.1	针数：	40
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.92
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	80 ns
其他特性：	RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PZIP-T40	JESD-609代码：	e0
内存密度：	4718592 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM
内存宽度：	18	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	40
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX18
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	ZIP	封装等效代码：	ZIP40,.1
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	512
座面最大高度：	12.06 mm	自我刷新：	NO
最大待机电流：	0.0005 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.085 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	ZIG-ZAG	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	2.96 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM41C1000BJ-8	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, SOJ-26/20
KM41C1000BLP-8	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18
KM41C1000BP-7	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 70ns, CMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18
KM41C1000BP-8	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18
KM41C1000CJ-7	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, SOJ-20
KM41C1000CP-7	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 70ns, CMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18
KM41C1000CP-8	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18
KM41C1000CSLP-6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 60ns, CMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18
KM41C1000CT-8	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, TSOP2-20
KM41C1000CVR-7	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-20