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KM41C1000CZ-7

更新时间： 2024-11-14 15:45:19

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
17页	540K
描述
Fast Page DRAM, 1MX1, 70ns, CMOS, PZIP20, PLASTIC, ZIP-20

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KM41C1000CZ-7 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	ZIP	包装说明：	ZIP, ZIP20,.1
针数：	20	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	SEPARATE
JESD-30 代码：	R-PZIP-T20	JESD-609代码：	e0
长度：	26.165 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM	内存宽度：	1
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	20	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX1	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	ZIP
封装等效代码：	ZIP20,.1	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	512
座面最大高度：	10.16 mm	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.065 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	ZIG-ZAG
宽度：	2.96 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM41C1000DJ-6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 60ns, CMOS, PDSO20, SOJ-20
KM41C1001CTR-6	SAMSUNG	获取价格	Nibble Mode DRAM, 1MX1, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, REVERSE, TSOP2-26/20
KM41C1001CTR-8	SAMSUNG	获取价格	Nibble Mode DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, REVERSE, TSOP2-26/20
KM41C1001CV-8	SAMSUNG	获取价格	Nibble Mode DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, 6 X 16 MM, TSOP1-24/20
KM41C1001CVR-6	SAMSUNG	获取价格	Nibble Mode DRAM, 1MX1, 60ns, CMOS, PDSO20, 6 X 16 MM, REVERSE, TSOP1-24/20
KM41C1001CZ-8	SAMSUNG	获取价格	Nibble Mode DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PZIP20, PLASTIC, ZIP-20
KM41C1002CP-8	SAMSUNG	获取价格	Static Column DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18
KM41C1002CT-8	SAMSUNG	获取价格	Static Column DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, TSOP2-26/20
KM41C1002CTR-6	SAMSUNG	获取价格	Static Column DRAM, 1MX1, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, REVERSE, TSOP2-26/20
KM41C1002CV-6	SAMSUNG	获取价格	Static Column DRAM, 1MX1, 60ns, CMOS, PDSO20, 6 X 16 MM, TSOP1-24/20